亚星代理_www.yaxin333.com_上海亚星真空设备有限公司

13311665350

技术文章

TECHNICAL ARTICLES

当前位置:首页技术文章

  • 202012-12
    在使用箱式可控气氛炉时这些安全措施您一定要掌握

    箱式可控气氛炉的种类很多,有周期式和连续式两种。周期炉:有井式炉和密封箱式炉(又称多用炉),适用于多品种小批量生产,可用于光亮淬火、光亮退火、渗碳、碳氮共渗等热处理。连续炉:有推杆式、转底式及各种形式的连续式可控气氛渗碳生产线等,适用于大批量生产,可以进行光亮淬火、回火、渗碳及碳氮共渗等热处理。本设备具备的安全措施:1、设备炉温低于750℃时,可燃气电磁阀自动锁死,不能打开;炉温高于750℃时,可燃气电磁阀才能打开向炉内供气;炉温低于750℃时,氮气电磁阀自动打开,向炉内通入...

  • 202012-2
    箱式可控气氛炉具有哪些作用,您是否清楚?

    箱式可控气氛炉壳体采用优质碳钢焊接,外形美观大方,结构设计先进合理,智能温度控制仪,备标准PID、人工智能调节APID或MPT等多种调方式,具有自整定、自学习功能,无超调及无欠调的优良控制特,具备30段程序控制功能,可实现任意斜率的升、降温控制,具有跳转循环)、运行、暂停及停止等可编程/可操作命令,并允许在程序的控制运行中随时修改程序;采用具备曲线拟合功能的人工智能调节算法,能获得光滑平顺的曲线控制效果;炉膛采用多晶莫来石维材料,真空气氛炉保温节能。箱式可控气氛炉广泛用于高等...

  • 202011-30
    金属基复合材料

    金属基复合材料(MetalMatrixcomposites,MMCs)主要是指以金属、合金为基体材料,以纤维、晶须、颗粒等高强度材料作为增强体,制备而成的一种复合材料。MMCs的常用的制备方法有:粉末冶金法、原位生成复合法、喷射成形法、铸造凝固成型法等。按照不同增强相可以分为连续纤维增强(主要有碳及石墨纤维、碳化硅纤维、硼纤维、氧化铝纤维、不锈钢丝和钨丝)、非连续纤维增强(包括碳化硅、氧化铝、碳化硼等颗粒增强,碳化硅、氧化铝、等晶须增强,氧化铝纤维等短纤维增强)和叠层复合三类...

  • 202011-23
    碳化硅半导体封装核心技术分析——银烧结技术

    随着电子产业的发展,电子产品正在向着质量轻、厚度薄、体积小、功耗低、功能复杂、可靠性高这一方向发展。这就要求功率??樵谒蔡臀忍榭鱿露家辛己玫牡既鹊嫉缧阅芤约翱煽啃?。功率??榈奶寤跣』嵋鹉?楹托酒缌?、接线端电压以及输入功率的增大,从而增加了热能的散失,由此带来了一些了问题如温度漂移等,会严重影响功率器件的可靠性,加速器件的老化。为了解决高温大功率器件所面临的问题,近年来,纳米银烧结技术受到了越来越多研究者的关注。图1苹果手机主板上的器件集成度越来越高低温烧结互连技术...

  • 202011-16
    碳化硅晶体的高温退火处理

    碳化硅SiC晶体生长较常见,较成熟的方法仍然是物理气相输运法(PVT),该方法是一种气相生长方法,生长温度高,对原材料以及工艺参数等都有很高的要求。近年来,国内外对PVT工艺的开发投入了大量的时间和精力,SiC晶体的质量和尺寸等方面有了很大的突破和提高,但是晶体中仍然存在组织缺陷和微观应力。组织缺陷的存在会恶化SiC基器件的性能,从而影响器件的应用,而应力的存在则会使得SiC晶体在加工阶段容易碎裂,从而降低SiC晶片的成品率。因此,降低SiC晶体中存在的组织缺陷和微观应力就显...

  • 202011-10
    您对真空气氛烧结炉了解多少?知道它采用什么原理吗?

    真空气氛烧结炉用于特种陶瓷,精密陶瓷,荧光粉,发光粉,粉末冶金,锂电池材料等,无机材料的烧结,高温烧结炉广泛应用于1050度以下电子产品在?;て栈蚩掌械脑ど?、烧成或热处理工艺,包括导体浆料、电阻浆料及介质等厚膜电路,电阻、电容、电感等电子元件的端头烧银、烧成,电路管壳、晶振等元件的玻璃缘子封装等。烧结炉在钢铁行业、冶金行业、电子行业等都有广泛应用。烧结炉主要用于陶瓷粉体、陶瓷插芯和其他氧化锆陶瓷的烧结,金刚石锯片的烧结,也可用于铜材,钢带退火等热处理。也用于金属粉末在?;?..

  • 202011-10
    第三代半导体材料之碳化硅

    碳化硅SiC是一种由硅﹙Si﹚与碳﹙C﹚以共价键为主结合而成的化合物,其基本单元为Si-C四面体,其中Si原子位于中心,周围为C原子。SiC所有的结构均由Si-C四面体以不同的堆积方式构成。目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种,其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料,它具有:(1)临界击穿电场强度是硅材料近1...

  • 202011-9
    ITO靶材常压烧结工艺进展

    20世纪90年代初兴起了一种新的靶材烧结方法-常压烧结法,它是指在一定气氛和温度条件下对ITO靶材的素坯进行烧结,通过对烧结过程中各因素的控制,来有效控制ITO素坯晶粒的生长,从而达到靶材的晶粒分布均匀性及高致密化,该方法对粉末的烧结活性和靶材变形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大,溅射到平板上的拼缝就越少,价值也越高。国外可以做宽1200毫米、长近3000毫米的单块靶材,国内只能制造不超过800毫米宽的。日企ITO制备工艺1.日本东曹公司日本东曹公司的的技术方案中,将粒...

共 245 条记录,当前 19 / 31 页  首页  上一页  下一页  末页  跳转到第页 

关注微信号

移动端浏览
热线电话:13311665350

Copyright © 2025上海皓越真空设备有限公司 All Rights Reserved    备案号:沪ICP备2022033023号-2

技术支持:化工仪器网    管理登录    sitemap.xml    总访问量:373098